SIS990DN-T1-GE3

MOSFET 2N-CH 100V 12.1A 1212-8

Número da pe?a NOVA:

303-2251458-SIS990DN-T1-GE3

Fabricante:

Número da pe?a do fabricante:

SIS990DN-T1-GE3

Embalagem padr?o:

3,000

Ficha técnica:

Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 100V 12.1A 25W Surface Mount PowerPAK® 1212-8 Dual

More Information
Categoria	Transistores - FETs, MOSFETs - Arrays
Fabricante	Vishay Siliconix
RoHS	1
Embalagem	Tape & Reel (TR)
Temperatura de operação	-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem	Surface Mount
Pacote de dispositivos do fornecedor	PowerPAK® 1212-8 Dual
Número do produto base	SIS990
Pacote / Estojo	PowerPAK® 1212-8 Dual
Series	TrenchFET®
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25°C	12.1A
Rds On (Max) @ Id, Vgs	85mOhm @ 8A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id	4V @ 250µA
Carga do Gate (Qg) (Max) @ Vgs	8nC @ 10V
Recurso FET	Standard
Tipo FET	2 N-Channel (Dual)
Dreno para Tensão da Fonte (Vdss)	100V
Capacitância de entrada (Ciss) (Max) @ Vds	250pF @ 50V
Potência - Máx.	25W
Outros nomes	SIS990DN-T1-GE3TR SIS990DN-T1-GE3DKR SIS990DN-T1-GE3CT

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