FDMS3669S

MOSFET 2N-CH 30V 13A/18A POWER56

Número da pe?a NOVA:

303-2249857-FDMS3669S

Fabricante:

Número da pe?a do fabricante:

FDMS3669S

Embalagem padr?o:

3,000

Ficha técnica:

Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical 30V 13A, 18A 1W Surface Mount Power56

More Information
Categoria	Transistores - FETs, MOSFETs - Arrays
Fabricante	onsemi
RoHS	1
Embalagem	Tape & Reel (TR)
Temperatura de operação	-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem	Surface Mount
Pacote de dispositivos do fornecedor	Power56
Número do produto base	FDMS3669
Pacote / Estojo	8-PowerTDFN
Series	PowerTrench®
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25°C	13A, 18A
Rds On (Max) @ Id, Vgs	10mOhm @ 13A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id	2.7V @ 250µA
Carga do Gate (Qg) (Max) @ Vgs	24nC @ 10V
Recurso FET	Logic Level Gate
Tipo FET	2 N-Channel (Dual) Asymmetrical
Dreno para Tensão da Fonte (Vdss)	30V
Capacitância de entrada (Ciss) (Max) @ Vds	1605pF @ 15V
Potência - Máx.	1W
Outros nomes	FDMS3669SCT FDMS3669SDKR 2156-FDMS3669S-OS FDMS3669STR

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