AUIRF9952QTR
AUIRF9952 HEXFET POWER MOSFET
Número da pe?a NOVA:
303-2242032-AUIRF9952QTR
Fabricante:
Número da pe?a do fabricante:
AUIRF9952QTR
Embalagem padr?o:
4,000
Ficha técnica:
Mosfet Array N and P-Channel 30V 3.5A, 2.3A 2W Surface Mount 8-SO
| Categoria | Transistores - FETs, MOSFETs - Arrays | |
| Fabricante | International Rectifier | |
| RoHS | 1 | |
| Temperatura de operação | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
| Tipo de montagem | Surface Mount | |
| Pacote de dispositivos do fornecedor | 8-SO | |
| Pacote / Estojo | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) | |
| Series | HEXFET® | |
| Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25°C | 3.5A, 2.3A | |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 100mOhm @ 2.2A, 10V | |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 3V @ 250µA | |
| Carga do Gate (Qg) (Max) @ Vgs | 14nC @ 10V | |
| Recurso FET | Logic Level Gate | |
| Tipo FET | N and P-Channel | |
| Dreno para Tensão da Fonte (Vdss) | 30V | |
| Capacitância de entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 190pF @ 15V | |
| Potência - Máx. | 2W | |
| Outros nomes | INFIRFAUIRF9952QTR 2156-AUIRF9952QTR |
In stock Entre em contato conosco.
N?o é o pre?o que você quer? Por favor, preencha o formulário e entraremos em contato o mais breve possível.
Encontramos outros produtos que você pode gostar!
- NX6020CAKSXNexperia USA Inc.
- PMGD290UCEAXNexperia USA Inc.
- SH8MA2GZETBRohm Semiconductor
- BSS8402DW-7-FDiodes Incorporated
- FDS8928AFairchild Semiconductor
- SI4532CDY-T1-GE3Vishay Siliconix
- DMC3025LSD-13Diodes Incorporated
- SQ4532AEY-T1_BE3Vishay Siliconix
- AUIRF7379QTRInternational Rectifier
- IRF7509TRPBFInfineon Technologies
- ZXMC3F31DN8TADiodes Incorporated










