QS8M31TR
QS8M31 IS COMPLEX TYPE MOSFET(P+
Número da pe?a NOVA:
303-2249079-QS8M31TR
Fabricante:
Número da pe?a do fabricante:
QS8M31TR
Embalagem padr?o:
3,000
Ficha técnica:
Mosfet Array N and P-Channel 60V 3A (Ta), 2A (Ta) 1.1W (Ta) Surface Mount TSMT8
| Categoria | Transistores - FETs, MOSFETs - Arrays | |
| Fabricante | Rohm Semiconductor | |
| RoHS | 1 | |
| Embalagem | Tape & Reel (TR) | |
| Temperatura de operação | 150°C (TJ) | |
| Tipo de montagem | Surface Mount | |
| Pacote de dispositivos do fornecedor | TSMT8 | |
| Número do produto base | QS8M31 | |
| Pacote / Estojo | 8-SMD, Flat Lead | |
| Series | - | |
| Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25°C | 3A (Ta), 2A (Ta) | |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 112mOhm @ 3A, 10V, 210mOhm @ 2A, 10V | |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2.5V @ 1mA, 3V @ 1mA | |
| Carga do Gate (Qg) (Max) @ Vgs | 4nC @ 5V, 7.2nC @ 5V | |
| Recurso FET | Standard | |
| Tipo FET | N and P-Channel | |
| Dreno para Tensão da Fonte (Vdss) | 60V | |
| Capacitância de entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 270pF @ 10V, 750pF @ 10V | |
| Potência - Máx. | 1.1W (Ta) | |
| Outros nomes | QS8M31DKR QS8M31CT |
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