FDC6306P
MOSFET 2P-CH 20V 1.9A SSOT6
Número da pe?a NOVA:
303-2251374-FDC6306P
Fabricante:
Número da pe?a do fabricante:
FDC6306P
Embalagem padr?o:
3,000
Ficha técnica:
Mosfet Array 2 P-Channel (Dual) 20V 1.9A 700mW Surface Mount SuperSOT™-6
| Categoria | Transistores - FETs, MOSFETs - Arrays | |
| Fabricante | onsemi | |
| RoHS | 1 | |
| Embalagem | Tape & Reel (TR) | |
| Temperatura de operação | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
| Tipo de montagem | Surface Mount | |
| Pacote de dispositivos do fornecedor | SuperSOT™-6 | |
| Número do produto base | FDC6306 | |
| Pacote / Estojo | SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 | |
| Series | PowerTrench® | |
| Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25°C | 1.9A | |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 170mOhm @ 1.9A, 4.5V | |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 1.5V @ 250µA | |
| Carga do Gate (Qg) (Max) @ Vgs | 4.2nC @ 4.5V | |
| Recurso FET | Logic Level Gate | |
| Tipo FET | 2 P-Channel (Dual) | |
| Dreno para Tensão da Fonte (Vdss) | 20V | |
| Capacitância de entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 441pF @ 10V | |
| Potência - Máx. | 700mW | |
| Outros nomes | FDC6306PTR FDC6306PDKR FDC6306PCT |
In stock Precisa de mais?
0,12610 US$
N?o é o pre?o que você quer? Por favor, preencha o formulário e entraremos em contato o mais breve possível.
Encontramos outros produtos que você pode gostar!
- SQ3989EV-T1_GE3Vishay Siliconix
- FDC6305Nonsemi
- TSM3911DCX6 RFGTaiwan Semiconductor Corporation
- AD820ARMZ-R7Analog Devices Inc.
- FDC6312Ponsemi
- TPS2372-4RGWTTexas Instruments
- FM25V02A-GCypress Semiconductor Corp
- FDN358Ponsemi
- FDC6333Consemi
- BC856S,115Nexperia USA Inc.
- SIL2301-TPMicro Commercial Co










