NTMD6N03R2G

MOSFET 2N-CH 30V 6A 8SOIC

Número da pe?a NOVA:

303-2251604-NTMD6N03R2G

Fabricante:

Número da pe?a do fabricante:

NTMD6N03R2G

Embalagem padr?o:

2,500

Ficha técnica:

Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 30V 6A 1.29W Surface Mount 8-SOIC

More Information
Categoria	Transistores - FETs, MOSFETs - Arrays
Fabricante	onsemi
RoHS	1
Embalagem	Tape & Reel (TR)
Temperatura de operação	-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem	Surface Mount
Pacote de dispositivos do fornecedor	8-SOIC
Número do produto base	NTMD6
Pacote / Estojo	8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Series	-
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25°C	6A
Rds On (Max) @ Id, Vgs	32mOhm @ 6A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id	2.5V @ 250µA
Carga do Gate (Qg) (Max) @ Vgs	30nC @ 10V
Recurso FET	Logic Level Gate
Tipo FET	2 N-Channel (Dual)
Dreno para Tensão da Fonte (Vdss)	30V
Capacitância de entrada (Ciss) (Max) @ Vds	950pF @ 24V
Potência - Máx.	1.29W
Outros nomes	NTMD6N03R2GOS-ND NTMD6N03R2GOSCT ONSONSNTMD6N03R2G NTMD6N03R2GOSTR NTMD6N03R2GOS NTMD6N03R2GOSDKR =NTMD6N03R2GOSCT-ND 2156-NTMD6N03R2G-OS

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