SI4946CDY-T1-GE3

MOSFET N-CHAN DUAL 60V SO-8

Número da pe?a NOVA:

303-2251460-SI4946CDY-T1-GE3

Fabricante:

Número da pe?a do fabricante:

SI4946CDY-T1-GE3

Embalagem padr?o:

2,500

Ficha técnica:

Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 60V 5.2A (Ta), 6.1A (Tc) 2W (Ta), 2.8W (Tc) Surface Mount 8-SO

More Information
Categoria	Transistores - FETs, MOSFETs - Arrays
Fabricante	Vishay Siliconix
RoHS	1
Embalagem	Tape & Reel (TR)
Temperatura de operação	-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem	Surface Mount
Pacote de dispositivos do fornecedor	8-SO
Número do produto base	SI4946
Pacote / Estojo	8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Series	TrenchFET®
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25°C	5.2A (Ta), 6.1A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	40.9mOhm @ 5.2A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id	3V @ 250µA
Carga do Gate (Qg) (Max) @ Vgs	10nC @ 10V
Recurso FET	Standard
Tipo FET	2 N-Channel (Dual)
Dreno para Tensão da Fonte (Vdss)	60V
Capacitância de entrada (Ciss) (Max) @ Vds	350pF @ 30V
Potência - Máx.	2W (Ta), 2.8W (Tc)
Outros nomes	SI4946CDY-T1-GE3DKR SI4946CDY-T1-GE3CT SI4946CDY-T1-GE3TR

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