SI4909DY-T1-GE3

MOSFET 2P-CH 40V 8A 8SO

Número da pe?a NOVA:

303-2361108-SI4909DY-T1-GE3

Fabricante:

Número da pe?a do fabricante:

SI4909DY-T1-GE3

Embalagem padr?o:

2,500

Ficha técnica:

Mosfet Array 2 P-Channel (Dual) 40V 8A 3.2W Surface Mount 8-SOIC

More Information
Categoria	Transistores - FETs, MOSFETs - Arrays
Fabricante	Vishay Siliconix
RoHS	1
Embalagem	Tape & Reel (TR)
Temperatura de operação	-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem	Surface Mount
Pacote de dispositivos do fornecedor	8-SOIC
Número do produto base	SI4909
Pacote / Estojo	8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Series	TrenchFET®
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25°C	8A
Rds On (Max) @ Id, Vgs	27mOhm @ 8A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id	2.5V @ 250µA
Carga do Gate (Qg) (Max) @ Vgs	63nC @ 10V
Recurso FET	Logic Level Gate
Tipo FET	2 P-Channel (Dual)
Dreno para Tensão da Fonte (Vdss)	40V
Capacitância de entrada (Ciss) (Max) @ Vds	2000pF @ 20V
Potência - Máx.	3.2W
Outros nomes	SI4909DY-T1-GE3TR SI4909DY-T1-GE3CT SI4909DY-T1-GE3DKR

In stock Entre em contato conosco.

N?o é o pre?o que você quer? Por favor, preencha o formulário e entraremos em contato o mais breve possível.

Encontramos outros produtos que você pode gostar!