SQJ940EP-T1_GE3
MOSFET 2N-CH 40V 15A PPAK SO-8
Número da pe?a NOVA:
303-2361145-SQJ940EP-T1_GE3
Fabricante:
Número da pe?a do fabricante:
SQJ940EP-T1_GE3
Embalagem padr?o:
3,000
Ficha técnica:
Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 40V 15A (Ta), 18A (Tc) 48W, 43W Surface Mount PowerPAK® SO-8 Dual Asymmetric
| Categoria | Transistores - FETs, MOSFETs - Arrays | |
| Fabricante | Vishay Siliconix | |
| RoHS | 1 | |
| Embalagem | Tape & Reel (TR) | |
| Temperatura de operação | -55°C ~ 175°C (TJ) | |
| Tipo de montagem | Surface Mount | |
| Pacote de dispositivos do fornecedor | PowerPAK® SO-8 Dual Asymmetric | |
| Número do produto base | SQJ940 | |
| Pacote / Estojo | PowerPAK® SO-8 Dual | |
| Series | Automotive, AEC-Q101, TrenchFET® | |
| Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25°C | 15A (Ta), 18A (Tc) | |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 16mOhm @ 15A, 10V | |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2.5V @ 250µA | |
| Carga do Gate (Qg) (Max) @ Vgs | 20nC @ 20V | |
| Recurso FET | Logic Level Gate | |
| Tipo FET | 2 N-Channel (Dual) | |
| Dreno para Tensão da Fonte (Vdss) | 40V | |
| Capacitância de entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 896pF @ 20V | |
| Potência - Máx. | 48W, 43W | |
| Outros nomes | SQJ940EP-T1-GE3 SQJ940EP-T1_GE3CT SQJ940EP-T1_GE3DKR SQJ940EP-T1-GE3-ND SQJ940EP-T1_GE3TR SQJ940EP-T1_GE3-ND |
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