RN1104MFV,L3F(CT

TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A VESM
Número da pe?a NOVA:
304-2062327-RN1104MFV,L3F(CT
Número da pe?a do fabricante:
RN1104MFV,L3F(CT
Embalagem padr?o:
8,000

Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - Pre-Biased 50 V 100 mA 150 mW Surface Mount VESM

More Information
CategoriaTransistores - Bipolares (BJT) - Simples, Pré-polarizados
FabricanteToshiba Semiconductor and Storage
RoHS 1
EmbalagemTape & Reel (TR)
Tipo de montagemSurface Mount
Pacote de dispositivos do fornecedor VESM
Número do produto base RN1104
Series-
Resistor - Base (R1)47 kOhms
Resistor - Base Emissora (R2)47 kOhms
Ganho de Corrente DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce 80 @ 10mA, 5V
Saturação Vce (Max) @ Ib, Ic 300mV @ 500µA, 5mA
Pacote / EstojoSOT-723
Corrente - Corte do Coletor (Máx)500nA
Tensão - Decomposição do Emissor do Coletor (Máx.)50 V
Corrente - Coletor (Ic) (Máx) 100 mA
Tipo de transistorNPN - Pre-Biased
Potência - Máx. 150 mW
Outros nomesRN1104MFVL3F(CTDKR
RN1104MFV,L3F(CB
RN1104MFVL3F(CTCT
RN1104MFVL3F(CTTR

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