BCR112E6327HTSA1
TRANS PREBIAS NPN 0.2W SOT23-3
Número da pe?a NOVA:
304-2061272-BCR112E6327HTSA1
Fabricante:
Número da pe?a do fabricante:
BCR112E6327HTSA1
Embalagem padr?o:
3,000
Ficha técnica:
Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - Pre-Biased 50 V 100 mA 140 MHz 200 mW Surface Mount PG-SOT23
| Categoria | Transistores - Bipolares (BJT) - Simples, Pré-polarizados | |
| Fabricante | Infineon Technologies | |
| RoHS | 1 | |
| Embalagem | Tape & Reel (TR) | |
| Tipo de montagem | Surface Mount | |
| Pacote de dispositivos do fornecedor | PG-SOT23 | |
| Número do produto base | BCR112 | |
| Series | - | |
| Resistor - Base (R1) | 4.7 kOhms | |
| Resistor - Base Emissora (R2) | 4.7 kOhms | |
| Ganho de Corrente DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 20 @ 5mA, 5V | |
| Saturação Vce (Max) @ Ib, Ic | 300mV @ 500µA, 10mA | |
| Frequência - Transição | 140 MHz | |
| Pacote / Estojo | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | |
| Corrente - Corte do Coletor (Máx) | 100nA (ICBO) | |
| Tensão - Decomposição do Emissor do Coletor (Máx.) | 50 V | |
| Corrente - Coletor (Ic) (Máx) | 100 mA | |
| Tipo de transistor | NPN - Pre-Biased | |
| Potência - Máx. | 200 mW | |
| Outros nomes | BCR 112 E6327CT BCR 112 E6327CT-ND BCR112E6327XT BCR 112 E6327DKR BCR 112 E6327DKR-ND BCR112E6327HTSA1DKR BCR 112 E6327 BCR 112 E6327TR-ND BCR112E6327BTSA1 BCR112E6327HTSA1TR BCR112E6327HTSA1CT BCR 112 E6327-ND BCR112E6327 SP000010747 |
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