MJD31C1G
TRANS NPN 100V 3A IPAK
Número da pe?a NOVA:
301-2035959-MJD31C1G
Fabricante:
Número da pe?a do fabricante:
MJD31C1G
Embalagem padr?o:
75
Ficha técnica:
Bipolar (BJT) Transistor NPN 100 V 3 A 3MHz 1.56 W Through Hole I-PAK
| Categoria | Transistores - Bipolar (BJT) - Simples | |
| Fabricante | onsemi | |
| RoHS | 1 | |
| Temperatura de operação | -65°C ~ 150°C (TJ) | |
| Tipo de montagem | Through Hole | |
| Pacote de dispositivos do fornecedor | I-PAK | |
| Número do produto base | MJD31 | |
| Series | - | |
| Pacote / Estojo | TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA | |
| Ganho de Corrente DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 10 @ 3A, 4V | |
| Saturação Vce (Max) @ Ib, Ic | 1.2V @ 375mA, 3A | |
| Frequência - Transição | 3MHz | |
| Corrente - Corte do Coletor (Máx) | 50µA | |
| Tensão - Decomposição do Emissor do Coletor (Máx.) | 100 V | |
| Corrente - Coletor (Ic) (Máx) | 3 A | |
| Tipo de transistor | NPN | |
| Potência - Máx. | 1.56 W | |
| Outros nomes | MJD31C1G-ND MJD31C1GOS |
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