MJD112G

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TRANS NPN DARL 100V 2A DPAK

Número da pe?a NOVA:

301-2035888-MJD112G

Fabricante:

Número da pe?a do fabricante:

MJD112G

Embalagem padr?o:

Ficha técnica:

Bipolar (BJT) Transistor NPN - Darlington 100 V 2 A 25MHz 1.75 W Surface Mount DPAK

More Information
Categoria	Transistores - Bipolar (BJT) - Simples
Fabricante	onsemi
RoHS	1
Temperatura de operação	-65°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem	Surface Mount
Pacote de dispositivos do fornecedor	DPAK
Número do produto base	MJD112
Series	-
Pacote / Estojo	TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Ganho de Corrente DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce	1000 @ 2A, 3V
Saturação Vce (Max) @ Ib, Ic	3V @ 40mA, 4A
Frequência - Transição	25MHz
Corrente - Corte do Coletor (Máx)	20µA
Tensão - Decomposição do Emissor do Coletor (Máx.)	100 V
Corrente - Coletor (Ic) (Máx)	2 A
Tipo de transistor	NPN - Darlington
Potência - Máx.	1.75 W
Outros nomes	MJD112G-ND 2156-MJD112G-OS ONSONSMJD112G MJD112GOS

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