2N4123
T-NPN SI- GEN PUR AMP
Número da pe?a NOVA:
301-2029567-2N4123
Fabricante:
Número da pe?a do fabricante:
2N4123
Embalagem padr?o:
1
Ficha técnica:
Bipolar (BJT) Transistor NPN 30 V 200 mA 250MHz 350 mW Through Hole TO-92
| Categoria | Transistores - Bipolar (BJT) - Simples | |
| Fabricante | NTE Electronics, Inc | |
| RoHS | 1 | |
| Temperatura de operação | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
| Tipo de montagem | Through Hole | |
| Pacote de dispositivos do fornecedor | TO-92 | |
| Series | - | |
| Pacote / Estojo | TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) | |
| Ganho de Corrente DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 50 @ 2mA, 1V | |
| Saturação Vce (Max) @ Ib, Ic | 300mV @ 5mA, 50mA | |
| Frequência - Transição | 250MHz | |
| Corrente - Corte do Coletor (Máx) | 50nA (ICBO) | |
| Tensão - Decomposição do Emissor do Coletor (Máx.) | 30 V | |
| Corrente - Coletor (Ic) (Máx) | 200 mA | |
| Tipo de transistor | NPN | |
| Potência - Máx. | 350 mW | |
| Outros nomes | 2368-2N4123 |
In stock Entre em contato conosco.
N?o é o pre?o que você quer? Por favor, preencha o formulário e entraremos em contato o mais breve possível.
