MT3S111TU,LF
RF SIGE NPN BIPOLAR TRANSISTOR N
Número da pe?a NOVA:
302-2017671-MT3S111TU,LF
Fabricante:
Número da pe?a do fabricante:
MT3S111TU,LF
Embalagem padr?o:
3,000
Ficha técnica:
RF Transistor NPN 6V 100mA 10GHz 800mW Surface Mount UFM
| Categoria | Transistores - Bipolar (BJT) - RF | |
| Fabricante | Toshiba Semiconductor and Storage | |
| RoHS | 1 | |
| Embalagem | Tape & Reel (TR) | |
| Temperatura de operação | 150°C (TJ) | |
| Tipo de montagem | Surface Mount | |
| Pacote de dispositivos do fornecedor | UFM | |
| Número do produto base | MT3S111 | |
| Series | - | |
| Figura de ruído (dB Typ @ f) | 0.6dB ~ 0.85dB @ 500MHz ~ 1GHz | |
| Pacote / Estojo | 3-SMD, Flat Lead | |
| Ganho de Corrente DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 200 @ 30mA, 5V | |
| Frequência - Transição | 10GHz | |
| Ganho | 12.5dB | |
| Tensão - Decomposição do Emissor do Coletor (Máx.) | 6V | |
| Corrente - Coletor (Ic) (Máx) | 100mA | |
| Tipo de transistor | NPN | |
| Potência - Máx. | 800mW | |
| Outros nomes | MT3S111TULFDKR MT3S111TU,LF(T MT3S111TU,LF(B MT3S111TULFCT MT3S111TULFTR |
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