RN4987FE,LF(CT
TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.1W ES6
Número da pe?a NOVA:
299-2012758-RN4987FE,LF(CT
Fabricante:
Número da pe?a do fabricante:
RN4987FE,LF(CT
Embalagem padr?o:
4,000
Ficha técnica:
Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 250MHz, 200MHz 100mW Surface Mount ES6
| Categoria | Transistores - Bipolares (BJT) - Arrays, Pré-polarizados | |
| Fabricante | Toshiba Semiconductor and Storage | |
| RoHS | 1 | |
| Embalagem | Tape & Reel (TR) | |
| Tipo de montagem | Surface Mount | |
| Pacote de dispositivos do fornecedor | ES6 | |
| Número do produto base | RN4987 | |
| Series | - | |
| Pacote / Estojo | SOT-563, SOT-666 | |
| Resistor - Base (R1) | 10kOhms | |
| Resistor - Base Emissora (R2) | 47kOhms | |
| Ganho de Corrente DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 80 @ 10mA, 5V | |
| Saturação Vce (Max) @ Ib, Ic | 300mV @ 250µA, 5mA | |
| Frequência - Transição | 250MHz, 200MHz | |
| Corrente - Corte do Coletor (Máx) | 500nA | |
| Tensão - Decomposição do Emissor do Coletor (Máx.) | 50V | |
| Corrente - Coletor (Ic) (Máx) | 100mA | |
| Tipo de transistor | 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) | |
| Potência - Máx. | 100mW | |
| Outros nomes | RN4987FE,LF(CB RN4987FELF(CBCT-ND RN4987FELF(CTTR RN4987FELF(CBCT RN4987FELF(CBTR-ND RN4987FELF(CBDKR-ND RN4987FE(T5LFT)CT RN4987FE(T5LFT)DKR-ND RN4987FE(T5LFT)CT-ND RN4987FELF(CTCT RN4987FELF(CBDKR RN4987FE(T5LFT)TR-ND RN4987FELF(CBTR RN4987FE(T5LFT)TR RN4987FELF(CTDKR RN4987FE(T5L,F,T) RN4987FE(T5LFT)DKR |
In stock Entre em contato conosco.
N?o é o pre?o que você quer? Por favor, preencha o formulário e entraremos em contato o mais breve possível.
Encontramos outros produtos que você pode gostar!
TPS73533DRVRTexas Instruments
NJG1681MD7-TE1NJR Corporation/NJRC
NSBC114YPDXV6T1Gonsemi
Q 40,0-JXS11-8-10/10-FU-LFJauch Quartz
