SMUN5312DW1T1G
TRANS NPN/PNP PREBIAS SOT363
Número da pe?a NOVA:
299-2013405-SMUN5312DW1T1G
Fabricante:
Número da pe?a do fabricante:
SMUN5312DW1T1G
Embalagem padr?o:
3,000
Ficha técnica:
Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA - 187mW Surface Mount SC-88/SC70-6/SOT-363
| Categoria | Transistores - Bipolares (BJT) - Arrays, Pré-polarizados | |
| Fabricante | onsemi | |
| RoHS | 1 | |
| Embalagem | Tape & Reel (TR) | |
| Tipo de montagem | Surface Mount | |
| Pacote de dispositivos do fornecedor | SC-88/SC70-6/SOT-363 | |
| Número do produto base | SMUN5312 | |
| Series | - | |
| Pacote / Estojo | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 | |
| Resistor - Base (R1) | 22kOhms | |
| Resistor - Base Emissora (R2) | 22kOhms | |
| Ganho de Corrente DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 60 @ 5mA, 10V | |
| Saturação Vce (Max) @ Ib, Ic | 250mV @ 300µA, 10mA | |
| Frequência - Transição | - | |
| Corrente - Corte do Coletor (Máx) | 500nA | |
| Tensão - Decomposição do Emissor do Coletor (Máx.) | 50V | |
| Corrente - Coletor (Ic) (Máx) | 100mA | |
| Tipo de transistor | 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) | |
| Potência - Máx. | 187mW | |
| Outros nomes | SMUN5312DW1T1GOSTR SMUN5312DW1T1GOSCT SMUN5312DW1T1G-ND SMUN5312DW1T1GOSDKR |
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