NTE2018

IC-8 CHAN CMOS/TTL DR 18-PIN DIP

Número da pe?a NOVA:

298-2008993-NTE2018

Fabricante:

Número da pe?a do fabricante:

NTE2018

Embalagem padr?o:

Ficha técnica:

Bipolar (BJT) Transistor Array 8 NPN Darlington 50V 600mA - 1W Through Hole 18-PDIP

More Information
Categoria	Transistores - Bipolar (BJT) - Matrizes
Fabricante	NTE Electronics, Inc
RoHS	1
Temperatura de operação	-20°C ~ 85°C (TA)
Tipo de montagem	Through Hole
Pacote de dispositivos do fornecedor	18-PDIP
Pacote / Estojo	18-DIP (0.300", 7.62mm)
Series	-
Ganho de Corrente DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce	-
Saturação Vce (Max) @ Ib, Ic	1.6V @ 350mA, 500A
Frequência - Transição	-
Tensão - Decomposição do Emissor do Coletor (Máx.)	50V
Corrente - Coletor (Ic) (Máx)	600mA
Tipo de transistor	8 NPN Darlington
Potência - Máx.	1W
Outros nomes	2368-NTE2018

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