PBSS4230PANP,115
NOW NEXPERIA PBSS4230PANP - SMAL
Número da pe?a NOVA:
298-2007121-PBSS4230PANP,115
Fabricante:
Número da pe?a do fabricante:
PBSS4230PANP,115
Embalagem padr?o:
1
Ficha técnica:
Bipolar (BJT) Transistor Array NPN, PNP 30V 2A 120MHz 510mW Surface Mount 6-HUSON (2x2)
| Categoria | Transistores - Bipolar (BJT) - Matrizes | |
| Fabricante | NXP USA Inc. | |
| RoHS | 1 | |
| Temperatura de operação | 150°C (TJ) | |
| Tipo de montagem | Surface Mount | |
| Pacote de dispositivos do fornecedor | 6-HUSON (2x2) | |
| Pacote / Estojo | 6-UFDFN Exposed Pad | |
| Series | - | |
| Ganho de Corrente DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 200 @ 1A, 2V | |
| Saturação Vce (Max) @ Ib, Ic | 290mV @ 200mA, 2A | |
| Frequência - Transição | 120MHz | |
| Corrente - Corte do Coletor (Máx) | 100nA (ICBO) | |
| Tensão - Decomposição do Emissor do Coletor (Máx.) | 30V | |
| Corrente - Coletor (Ic) (Máx) | 2A | |
| Tipo de transistor | NPN, PNP | |
| Potência - Máx. | 510mW | |
| Outros nomes | NEXNXPPBSS4230PANP,115 2156-PBSS4230PANP,115 |
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