FDMS86163P
MOSFET P-CH 100V 7.9A/50A 8PQFN
Número da pe?a NOVA:
312-2281814-FDMS86163P
Fabricante:
Número da pe?a do fabricante:
FDMS86163P
Embalagem padr?o:
3,000
Ficha técnica:
P-Channel 100 V 7.9A (Ta), 50A (Tc) 2.5W (Ta), 104W (Tc) Surface Mount 8-PQFN (5x6)
| Categoria | Transistores - FETs, MOSFETs - Simples | |
| Fabricante | onsemi | |
| RoHS | 1 | |
| Embalagem | Tape & Reel (TR) | |
| Temperatura de operação | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
| Tipo de montagem | Surface Mount | |
| Pacote de dispositivos do fornecedor | 8-PQFN (5x6) | |
| Número do produto base | FDMS86163 | |
| Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) | |
| Series | PowerTrench® | |
| Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25°C | 7.9A (Ta), 50A (Tc) | |
| Tensão do Drive (Max Rds On, Min Rds On) | 6V, 10V | |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 22mOhm @ 7.9A, 10V | |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA | |
| Carga do Gate (Qg) (Max) @ Vgs | 59 nC @ 10 V | |
| Recurso FET | - | |
| Pacote / Estojo | 8-PowerTDFN | |
| Vgs (Máx.) | ±25V | |
| Tipo FET | P-Channel | |
| Dreno para Tensão da Fonte (Vdss) | 100 V | |
| Capacitância de entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 4085 pF @ 50 V | |
| Dissipação de energia (máx.) | 2.5W (Ta), 104W (Tc) | |
| Outros nomes | FDMS86163PDKR FDMS86163PTR FDMS86163PCT |
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