SSM6J512NU,LF
MOSFET P-CH 12V 10A 6UDFNB
Número da pe?a NOVA:
312-2285058-SSM6J512NU,LF
Fabricante:
Número da pe?a do fabricante:
SSM6J512NU,LF
Embalagem padr?o:
3,000
Ficha técnica:
P-Channel 12 V 10A (Ta) 1.25W (Ta) Surface Mount 6-UDFNB (2x2)
| Categoria | Transistores - FETs, MOSFETs - Simples | |
| Fabricante | Toshiba Semiconductor and Storage | |
| RoHS | 1 | |
| Embalagem | Tape & Reel (TR) | |
| Temperatura de operação | 150°C (TJ) | |
| Tipo de montagem | Surface Mount | |
| Pacote de dispositivos do fornecedor | 6-UDFNB (2x2) | |
| Número do produto base | SSM6J512 | |
| Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) | |
| Series | U-MOSVII | |
| Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25°C | 10A (Ta) | |
| Tensão do Drive (Max Rds On, Min Rds On) | 1.8V, 8V | |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 16.2mOhm @ 4A, 8V | |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 1V @ 1mA | |
| Carga do Gate (Qg) (Max) @ Vgs | 19.5 nC @ 4.5 V | |
| Recurso FET | - | |
| Pacote / Estojo | 6-WDFN Exposed Pad | |
| Vgs (Máx.) | ±10V | |
| Tipo FET | P-Channel | |
| Dreno para Tensão da Fonte (Vdss) | 12 V | |
| Capacitância de entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 1400 pF @ 6 V | |
| Dissipação de energia (máx.) | 1.25W (Ta) | |
| Outros nomes | SSM6J512NU,LF(T SSM6J512NULFCT SSM6J512NULFTR SSM6J512NULFDKR SSM6J512NU,LF(B |
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