IRF6717MTRPBF
MOSFET N-CH 25V 38A DIRECTFET
Número da pe?a NOVA:
312-2277260-IRF6717MTRPBF
Fabricante:
Número da pe?a do fabricante:
IRF6717MTRPBF
Embalagem padr?o:
4,800
Ficha técnica:
N-Channel 25 V 38A (Ta), 200A (Tc) 2.8W (Ta), 96W (Tc) Surface Mount DIRECTFET™ MX
| Categoria | Transistores - FETs, MOSFETs - Simples | |
| Fabricante | Infineon Technologies | |
| RoHS | 1 | |
| Embalagem | Tape & Reel (TR) | |
| Temperatura de operação | -40°C ~ 150°C (TJ) | |
| Tipo de montagem | Surface Mount | |
| Pacote de dispositivos do fornecedor | DIRECTFET™ MX | |
| Número do produto base | IRF6717 | |
| Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) | |
| Series | HEXFET® | |
| Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25°C | 38A (Ta), 200A (Tc) | |
| Tensão do Drive (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V | |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 1.25mOhm @ 38A, 10V | |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2.35V @ 150µA | |
| Carga do Gate (Qg) (Max) @ Vgs | 69 nC @ 4.5 V | |
| Recurso FET | - | |
| Pacote / Estojo | DirectFET™ Isometric MX | |
| Vgs (Máx.) | ±20V | |
| Tipo FET | N-Channel | |
| Dreno para Tensão da Fonte (Vdss) | 25 V | |
| Capacitância de entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 6750 pF @ 13 V | |
| Dissipação de energia (máx.) | 2.8W (Ta), 96W (Tc) | |
| Outros nomes | IRF6717MTRPBFDKR SP001525458 IRF6717MTRPBF-ND IRF6717MTRPBFCT IRF6717MTRPBFTR |
In stock Entre em contato conosco.
N?o é o pre?o que você quer? Por favor, preencha o formulário e entraremos em contato o mais breve possível.
Encontramos outros produtos que você pode gostar!
AT24C512C-SSHM-TMicrochip Technology
LT1761IS5-BYP#TRMPBFAnalog Devices Inc.
LTC6655BHMS8-5#TRPBFAnalog Devices Inc.- LT1761IS5-5#TRMPBFAnalog Devices Inc.
- LTC6655BHMS8-1.25#TRPBFAnalog Devices Inc.
LT1963ES8#TRPBFAnalog Devices Inc.
BSS84,215Nexperia USA Inc.
