NXPSC04650D6J
DIODE SCHOTTKY 650V 4A DPAK
Número da pe?a NOVA:
287-2368435-NXPSC04650D6J
Fabricante:
Número da pe?a do fabricante:
NXPSC04650D6J
Embalagem padr?o:
2,500
Ficha técnica:
Diode Silicon Carbide Schottky 650 V 4A Surface Mount DPAK
| Categoria | Diodos - Retificadores - Simples | |
| Fabricante | WeEn Semiconductors | |
| RoHS | 1 | |
| Embalagem | Tape & Reel (TR) | |
| Velocidade | No Recovery Time > 500mA (Io) | |
| Tipo de montagem | Surface Mount | |
| Pacote de dispositivos do fornecedor | DPAK | |
| Número do produto base | NXPSC | |
| Series | - | |
| Corrente - Média Retificada (Io) | 4A | |
| Pacote / Estojo | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 | |
| Temperatura de Operação - Junção | 175°C (Max) | |
| Capacitância @ Vr, F | 130pF @ 1V, 1MHz | |
| Corrente - Vazamento Reverso @ Vr | 170 µA @ 650 V | |
| Tensão - Direto (Vf) (Máx) @ Se | 1.7 V @ 4 A | |
| Tipo de diodo | Silicon Carbide Schottky | |
| Tensão - DC Reversa (Vr) (Max) | 650 V | |
| Tempo de Recuperação Reversa (trr) | 0 ns | |
| Outros nomes | 1740-NXPSC04650D6JCT NXPSC04650D6J-ND 1740-NXPSC04650D6JTR 934072078118 1740-NXPSC04650D6JDKR |
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