GB2X100MPS12-227
SIC DIODE 1200V 200A SOT-227
Número da pe?a NOVA:
297-2438624-GB2X100MPS12-227
Fabricante:
Número da pe?a do fabricante:
GB2X100MPS12-227
Embalagem padr?o:
10
Ficha técnica:
Diode Array 2 Independent Silicon Carbide Schottky 1200 V 185A (DC) Chassis Mount SOT-227-4, miniBLOC
| Categoria | Diodos - Retificadores - Matrizes | |
| Fabricante | GeneSiC Semiconductor | |
| RoHS | 1 | |
| Velocidade | No Recovery Time > 500mA (Io) | |
| Tipo de montagem | Chassis Mount | |
| Pacote de dispositivos do fornecedor | SOT-227 | |
| Configuração de Diodo | 2 Independent | |
| Número do produto base | GB2X100 | |
| Corrente - Média Retificada (Io) (por Diodo) | 185A (DC) | |
| Pacote / Estojo | SOT-227-4, miniBLOC | |
| Series | SiC Schottky MPS™ | |
| Temperatura de Operação - Junção | -55°C ~ 175°C | |
| Corrente - Vazamento Reverso @ Vr | 80 µA @ 1200 V | |
| Tensão - Direto (Vf) (Máx) @ Se | 1.8 V @ 100 A | |
| Tipo de diodo | Silicon Carbide Schottky | |
| Tensão - DC Reversa (Vr) (Max) | 1200 V | |
| Tempo de Recuperação Reversa (trr) | 0 ns | |
| Outros nomes | 1242-1341 |
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