BSB028N06NN3GXUMA1

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カテゴリ	トランジスタ - FET、MOSFET - 単体
製造元	Infineon Technologies
RoHS	1
パッケージング	Tape & Reel (TR)
動作温度	-40°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ	Surface Mount
サプライヤーデバイスパッケージ	MG-WDSON-2, CanPAK M™
基本製品番号	BSB028
テクノロジー	MOSFET (Metal Oxide)
シリーズ	OptiMOS™
電流 - 連続ドレイン (Id) @ 25°C	22A (Ta), 90A (Tc)
駆動電圧 (最大 Rds オン、最小 Rds オン)	10V
Rds オン (最大) @ Id、Vgs	2.8mOhm @ 30A, 10V
Vgs(th) (最大) @ ID	4V @ 102µA
ゲート電荷 (Qg) (最大) @ Vgs	143 nC @ 10 V
FETの特徴	-
パッケージ・ケース	3-WDSON
Vgs (最大)	±20V
FETタイプ	N-Channel
ドレイン・ソース間電圧 (Vdss)	60 V
入力容量 (Ciss) (最大) @ Vds	12000 pF @ 30 V
消費電力(最大)	2.2W (Ta), 78W (Tc)
その他の名前	BSB028N06NN3 GDKR BSB028N06NN3GXUMA1DKR BSB028N06NN3G BSB028N06NN3 GCT-ND SP000605956 BSB028N06NN3 GCT BSB028N06NN3 G BSB028N06NN3 G-ND BSB028N06NN3GXUMA1CT BSB028N06NN3 GTR-ND BSB028N06NN3 GDKR-ND BSB028N06NN3GXUMA1TR

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