LND150N8-G
MOSFET N-CH 500V 30MA SOT89-3
NOVA部品番号:
312-2280694-LND150N8-G
製造メーカー部品番号:
LND150N8-G
ひょうじゅんほうそう:
2,000
技術データシート:
N-Channel 500 V 30mA (Tj) 1.6W (Ta) Surface Mount SOT-89-3
| カテゴリ | トランジスタ - FET、MOSFET - 単体 | |
| 製造元 | Microchip Technology | |
| RoHS | 1 | |
| パッケージング | Tape & Reel (TR) | |
| 動作温度 | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
| 取付タイプ | Surface Mount | |
| サプライヤーデバイスパッケージ | SOT-89-3 | |
| 基本製品番号 | LND150 | |
| テクノロジー | MOSFET (Metal Oxide) | |
| シリーズ | - | |
| 電流 - 連続ドレイン (Id) @ 25°C | 30mA (Tj) | |
| 駆動電圧 (最大 Rds オン、最小 Rds オン) | 0V | |
| Rds オン (最大) @ Id、Vgs | 1000Ohm @ 500µA, 0V | |
| Vgs(th) (最大) @ ID | - | |
| FETの特徴 | Depletion Mode | |
| パッケージ・ケース | TO-243AA | |
| Vgs (最大) | ±20V | |
| FETタイプ | N-Channel | |
| ドレイン・ソース間電圧 (Vdss) | 500 V | |
| 入力容量 (Ciss) (最大) @ Vds | 10 pF @ 25 V | |
| 消費電力(最大) | 1.6W (Ta) | |
| その他の名前 | LND150N8-GDKR LND150N8-GTR LND150N8-GCT LND150N8-G-ND |
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