IPDD60R190G7XTMA1
MOSFET N-CH 600V 13A HDSOP-10
NOVA部品番号:
312-2280499-IPDD60R190G7XTMA1
製造メーカー部品番号:
IPDD60R190G7XTMA1
ひょうじゅんほうそう:
1,700
技術データシート:
N-Channel 600 V 13A (Tc) 76W (Tc) Surface Mount PG-HDSOP-10-1
| カテゴリ | トランジスタ - FET、MOSFET - 単体 | |
| 製造元 | Infineon Technologies | |
| RoHS | 1 | |
| パッケージング | Tape & Reel (TR) | |
| 動作温度 | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
| 取付タイプ | Surface Mount | |
| サプライヤーデバイスパッケージ | PG-HDSOP-10-1 | |
| 基本製品番号 | IPDD60 | |
| テクノロジー | MOSFET (Metal Oxide) | |
| シリーズ | CoolMOS™ G7 | |
| 電流 - 連続ドレイン (Id) @ 25°C | 13A (Tc) | |
| 駆動電圧 (最大 Rds オン、最小 Rds オン) | 10V | |
| Rds オン (最大) @ Id、Vgs | 190mOhm @ 4.2A, 10V | |
| Vgs(th) (最大) @ ID | 4V @ 210µA | |
| ゲート電荷 (Qg) (最大) @ Vgs | 18 nC @ 10 V | |
| FETの特徴 | - | |
| パッケージ・ケース | 10-PowerSOP Module | |
| Vgs (最大) | ±20V | |
| FETタイプ | N-Channel | |
| ドレイン・ソース間電圧 (Vdss) | 600 V | |
| 入力容量 (Ciss) (最大) @ Vds | 718 pF @ 400 V | |
| 消費電力(最大) | 76W (Tc) | |
| その他の名前 | IPDD60R190G7XTMA1DKR SP001632844 IPDD60R190G7XTMA1TR IPDD60R190G7XTMA1CT |
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