SCTW40N120G2V
SILICON CARBIDE POWER MOSFET 120
NOVA部品番号:
312-2299714-SCTW40N120G2V
製造メーカー部品番号:
SCTW40N120G2V
ひょうじゅんほうそう:
30
技術データシート:
N-Channel 1200 V 36A (Tc) 278W (Tc) Through Hole HiP247™
| カテゴリ | トランジスタ - FET、MOSFET - 単体 | |
| 製造元 | STMicroelectronics | |
| RoHS | 1 | |
| 動作温度 | -55°C ~ 200°C (TJ) | |
| 取付タイプ | Through Hole | |
| サプライヤーデバイスパッケージ | HiP247™ | |
| テクノロジー | SiCFET (Silicon Carbide) | |
| シリーズ | - | |
| 電流 - 連続ドレイン (Id) @ 25°C | 36A (Tc) | |
| 駆動電圧 (最大 Rds オン、最小 Rds オン) | 18V | |
| Rds オン (最大) @ Id、Vgs | 100mOhm @ 20A, 18V | |
| Vgs(th) (最大) @ ID | 4.9V @ 1mA | |
| ゲート電荷 (Qg) (最大) @ Vgs | 61 nC @ 18 V | |
| FETの特徴 | - | |
| パッケージ・ケース | TO-247-3 | |
| Vgs (最大) | +22V, -10V | |
| FETタイプ | N-Channel | |
| ドレイン・ソース間電圧 (Vdss) | 1200 V | |
| 入力容量 (Ciss) (最大) @ Vds | 1233 pF @ 800 V | |
| 消費電力(最大) | 278W (Tc) | |
| その他の名前 | 497-SCTW40N120G2V |
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