DMTH10H1M7STLWQ-13

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MOSFET BVDSS: 61V~100V POWERDI10

NOVA部品番号:

312-2298218-DMTH10H1M7STLWQ-13

製造元:

製造メーカー部品番号:

DMTH10H1M7STLWQ-13

ひょうじゅんほうそう:

1,500

技術データシート:

N-Channel 100 V 250A (Tc) 6W (Ta), 250W (Tc) Surface Mount POWERDI1012-8

More Information
カテゴリ	トランジスタ - FET、MOSFET - 単体
製造元	Diodes Incorporated
RoHS	1
パッケージング	Tape & Reel (TR)
動作温度	-55°C ~ 175°C (TJ)
取付タイプ	Surface Mount
サプライヤーデバイスパッケージ	POWERDI1012-8
テクノロジー	MOSFET (Metal Oxide)
シリーズ	-
電流 - 連続ドレイン (Id) @ 25°C	250A (Tc)
駆動電圧 (最大 Rds オン、最小 Rds オン)	10V
Rds オン (最大) @ Id、Vgs	2mOhm @ 30A, 10V
Vgs(th) (最大) @ ID	4V @ 250µA
ゲート電荷 (Qg) (最大) @ Vgs	147 nC @ 10 V
FETの特徴	-
パッケージ・ケース	8-PowerSFN
Vgs (最大)	±20V
FETタイプ	N-Channel
ドレイン・ソース間電圧 (Vdss)	100 V
入力容量 (Ciss) (最大) @ Vds	9871 pF @ 50 V
消費電力(最大)	6W (Ta), 250W (Tc)
その他の名前	31-DMTH10H1M7STLWQ-13CT 31-DMTH10H1M7STLWQ-13DKR 31-DMTH10H1M7STLWQ-13TR