PSMN8R7-80BS,118

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カテゴリ	トランジスタ - FET、MOSFET - 単体
製造元	Nexperia USA Inc.
RoHS	1
パッケージング	Tape & Reel (TR)
動作温度	-55°C ~ 175°C (TJ)
取付タイプ	Surface Mount
サプライヤーデバイスパッケージ	D2PAK
基本製品番号	PSMN8R7
テクノロジー	MOSFET (Metal Oxide)
シリーズ	-
電流 - 連続ドレイン (Id) @ 25°C	90A (Tc)
駆動電圧 (最大 Rds オン、最小 Rds オン)	10V
Rds オン (最大) @ Id、Vgs	8.7mOhm @ 10A, 10V
Vgs(th) (最大) @ ID	4V @ 1mA
ゲート電荷 (Qg) (最大) @ Vgs	52 nC @ 10 V
FETの特徴	-
パッケージ・ケース	TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Vgs (最大)	±20V
FETタイプ	N-Channel
ドレイン・ソース間電圧 (Vdss)	80 V
入力容量 (Ciss) (最大) @ Vds	3346 pF @ 40 V
消費電力(最大)	170W (Tc)
その他の名前	568-9708-2-ND 568-9708-1 568-9708-2 1727-7217-1 568-9708-1-ND 934066203118 PSMN8R780BS118 568-9708-6 PSMN8R7-80BS,118-ND 1727-7217-6 568-9708-6-ND 1727-7217-2