SIR104LDP-T1-RE3

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カテゴリ	トランジスタ - FET、MOSFET - 単体
製造元	Vishay Siliconix
RoHS	1
パッケージング	Tape & Reel (TR)
動作温度	-55°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ	Surface Mount
サプライヤーデバイスパッケージ	PowerPAK® SO-8
基本製品番号	SIR104
テクノロジー	MOSFET (Metal Oxide)
シリーズ	TrenchFET®
電流 - 連続ドレイン (Id) @ 25°C	18.8A (Ta), 81A (Tc)
駆動電圧 (最大 Rds オン、最小 Rds オン)	4.5V, 10V
Rds オン (最大) @ Id、Vgs	6.1mOhm @ 15A, 10V
Vgs(th) (最大) @ ID	3V @ 250µA
ゲート電荷 (Qg) (最大) @ Vgs	110 nC @ 10 V
FETの特徴	-
パッケージ・ケース	PowerPAK® SO-8
Vgs (最大)	±20V
FETタイプ	N-Channel
ドレイン・ソース間電圧 (Vdss)	100 V
入力容量 (Ciss) (最大) @ Vds	4870 pF @ 50 V
消費電力(最大)	5.4W (Ta), 100W (Tc)
その他の名前	742-SIR104LDP-T1-RE3DKR 742-SIR104LDP-T1-RE3TR 742-SIR104LDP-T1-RE3CT