IXTH10P60
MOSFET P-CH 600V 10A TO247
NOVA部品番号:
312-2289888-IXTH10P60
製造元:
製造メーカー部品番号:
IXTH10P60
ひょうじゅんほうそう:
30
技術データシート:
P-Channel 600 V 10A (Tc) 300W (Tc) Through Hole TO-247 (IXTH)
| カテゴリ | トランジスタ - FET、MOSFET - 単体 | |
| 製造元 | IXYS | |
| RoHS | 1 | |
| 動作温度 | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
| 取付タイプ | Through Hole | |
| サプライヤーデバイスパッケージ | TO-247 (IXTH) | |
| 基本製品番号 | IXTH10 | |
| テクノロジー | MOSFET (Metal Oxide) | |
| シリーズ | - | |
| 電流 - 連続ドレイン (Id) @ 25°C | 10A (Tc) | |
| 駆動電圧 (最大 Rds オン、最小 Rds オン) | 10V | |
| Rds オン (最大) @ Id、Vgs | 1Ohm @ 5A, 10V | |
| Vgs(th) (最大) @ ID | 5V @ 250µA | |
| ゲート電荷 (Qg) (最大) @ Vgs | 160 nC @ 10 V | |
| FETの特徴 | - | |
| パッケージ・ケース | TO-247-3 | |
| Vgs (最大) | ±20V | |
| FETタイプ | P-Channel | |
| ドレイン・ソース間電圧 (Vdss) | 600 V | |
| 入力容量 (Ciss) (最大) @ Vds | 4700 pF @ 25 V | |
| 消費電力(最大) | 300W (Tc) | |
| その他の名前 | IXTH10P60-NDR Q1152201 |
In stock お問い合わせください
あなたが望む価格ではありませんか？フォームにご記入ください。至急ご連絡いたします。
他にもお気に入りの製品が見つかりました！
IXTH6N120IXYS
IXTT16P60PIXYS
SCT2080KECRohm Semiconductor
MIC5219-5.0YM5-TRMicrochip Technology- IXTH10P50PIXYS
- IXTT10P60IXYS
- IXTH16P60PIXYS
IXTX32P60PIXYS
IXTP10P50PIXYS
VS-10ETS12SLHM3Vishay General Semiconductor - Diodes Division- IXTH90P10PIXYS
R6006JNXC7GRohm Semiconductor