SQP100P06-9M3L_GE3
MOSFET P-CH 60V 100A TO220AB
NOVA部品番号:
312-2306111-SQP100P06-9M3L_GE3
製造元:
製造メーカー部品番号:
SQP100P06-9M3L_GE3
ひょうじゅんほうそう:
500
技術データシート:
P-Channel 60 V 100A (Tc) 187W (Tc) Through Hole TO-220AB
| カテゴリ | トランジスタ - FET、MOSFET - 単体 | |
| 製造元 | Vishay Siliconix | |
| RoHS | 1 | |
| 動作温度 | -55°C ~ 175°C (TJ) | |
| 取付タイプ | Through Hole | |
| サプライヤーデバイスパッケージ | TO-220AB | |
| 基本製品番号 | SQP100 | |
| テクノロジー | MOSFET (Metal Oxide) | |
| シリーズ | Automotive, AEC-Q101, TrenchFET® | |
| 電流 - 連続ドレイン (Id) @ 25°C | 100A (Tc) | |
| 駆動電圧 (最大 Rds オン、最小 Rds オン) | 4.5V, 10V | |
| Rds オン (最大) @ Id、Vgs | 9.3mOhm @ 30A, 10V | |
| Vgs(th) (最大) @ ID | 2.5V @ 250µA | |
| ゲート電荷 (Qg) (最大) @ Vgs | 300 nC @ 10 V | |
| FETの特徴 | - | |
| パッケージ・ケース | TO-220-3 | |
| Vgs (最大) | ±20V | |
| FETタイプ | P-Channel | |
| ドレイン・ソース間電圧 (Vdss) | 60 V | |
| 入力容量 (Ciss) (最大) @ Vds | 12010 pF @ 25 V | |
| 消費電力(最大) | 187W (Tc) | |
| その他の名前 | SQP100P06-9M3L_GE3CT-ND SQP100P06-9M3L_GE3CT SQP100P06-9M3L_GE3DKR-ND SQP100P06-9M3L_GE3TR SQP100P06-9M3L_GE3DKR SQP100P06-9M3L_GE3TR-ND SQP100P06-9M3L_GE3TRINACTIVE SQP100P06-9M3L_GE3DKRINACTIVE |
In stock お問い合わせください
あなたが望む価格ではありませんか？フォームにご記入ください。至急ご連絡いたします。
他にもお気に入りの製品が見つかりました！
IXTP140P05TIXYS
SUP90P06-09L-E3Vishay Siliconix
SUP70101EL-GE3Vishay Siliconix- SQP90P06-07L_GE3Vishay Siliconix
- IXTP96P085TIXYS
IRF4905PBFInfineon Technologies- IXTP120P065TIXYS
- SQP50P03-07_GE3Vishay Siliconix
IPP120P04P4L03AKSA1Infineon Technologies- AUIRF4905Infineon Technologies
