FCMT199N60

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カテゴリ	トランジスタ - FET、MOSFET - 単体
製造元	onsemi
RoHS	1
パッケージング	Tape & Reel (TR)
動作温度	-55°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ	Surface Mount
サプライヤーデバイスパッケージ	Power88
基本製品番号	FCMT199
テクノロジー	MOSFET (Metal Oxide)
シリーズ	SuperFET® II
電流 - 連続ドレイン (Id) @ 25°C	20.2A (Tc)
駆動電圧 (最大 Rds オン、最小 Rds オン)	10V
Rds オン (最大) @ Id、Vgs	199mOhm @ 10A, 10V
Vgs(th) (最大) @ ID	3.5V @ 250µA
ゲート電荷 (Qg) (最大) @ Vgs	74 nC @ 10 V
FETの特徴	-
パッケージ・ケース	4-PowerTSFN
Vgs (最大)	±20V
FETタイプ	N-Channel
ドレイン・ソース間電圧 (Vdss)	600 V
入力容量 (Ciss) (最大) @ Vds	2950 pF @ 100 V
消費電力(最大)	208W (Tc)
その他の名前	ONSONSFCMT199N60 FCMT199N60CT FCMT199N60TR FCMT199N60DKR 2156-FCMT199N60-OS

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