FDU6N25

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カテゴリ	トランジスタ - FET、MOSFET - 単体
製造元	onsemi
RoHS	1
動作温度	-55°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ	Through Hole
サプライヤーデバイスパッケージ	I-PAK
基本製品番号	FDU6
テクノロジー	MOSFET (Metal Oxide)
シリーズ	UniFET™
電流 - 連続ドレイン (Id) @ 25°C	4.4A (Tc)
駆動電圧 (最大 Rds オン、最小 Rds オン)	10V
Rds オン (最大) @ Id、Vgs	1.1Ohm @ 2.2A, 10V
Vgs(th) (最大) @ ID	5V @ 250µA
ゲート電荷 (Qg) (最大) @ Vgs	6 nC @ 10 V
FETの特徴	-
パッケージ・ケース	TO-251-3 Stub Leads, IPak
Vgs (最大)	±30V
FETタイプ	N-Channel
ドレイン・ソース間電圧 (Vdss)	250 V
入力容量 (Ciss) (最大) @ Vds	250 pF @ 25 V
消費電力(最大)	50W (Tc)
その他の名前	FDU6N25OS 2156-FDU6N25-OS FDU6N25-ND ONSONSFDU6N25

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