IRF5210STRRPBF

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カテゴリ	トランジスタ - FET、MOSFET - 単体
製造元	Infineon Technologies
RoHS	1
パッケージング	Tape & Reel (TR)
動作温度	-55°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ	Surface Mount
サプライヤーデバイスパッケージ	D2PAK
基本製品番号	IRF5210
テクノロジー	MOSFET (Metal Oxide)
シリーズ	HEXFET®
電流 - 連続ドレイン (Id) @ 25°C	38A (Tc)
駆動電圧 (最大 Rds オン、最小 Rds オン)	10V
Rds オン (最大) @ Id、Vgs	60mOhm @ 38A, 10V
Vgs(th) (最大) @ ID	4V @ 250µA
ゲート電荷 (Qg) (最大) @ Vgs	230 nC @ 10 V
FETの特徴	-
パッケージ・ケース	TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Vgs (最大)	±20V
FETタイプ	P-Channel
ドレイン・ソース間電圧 (Vdss)	100 V
入力容量 (Ciss) (最大) @ Vds	2780 pF @ 25 V
消費電力(最大)	3.1W (Ta), 170W (Tc)
その他の名前	SP001561786 448-IRF5210STRRPBFTR 448-IRF5210STRRPBFCT 448-IRF5210STRRPBFDKR IRF5210STRRPBF-ND

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