SUP53P06-20-E3
MOSFET P-CH 60V 9.2A/53A TO220AB
NOVA部品番号:
312-2289078-SUP53P06-20-E3
製造元:
製造メーカー部品番号:
SUP53P06-20-E3
ひょうじゅんほうそう:
500
技術データシート:
P-Channel 60 V 9.2A (Ta), 53A (Tc) 3.1W (Ta), 104.2W (Tc) Through Hole TO-220AB
| カテゴリ | トランジスタ - FET、MOSFET - 単体 | |
| 製造元 | Vishay Siliconix | |
| RoHS | 1 | |
| 動作温度 | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
| 取付タイプ | Through Hole | |
| サプライヤーデバイスパッケージ | TO-220AB | |
| 基本製品番号 | SUP53 | |
| テクノロジー | MOSFET (Metal Oxide) | |
| シリーズ | TrenchFET® | |
| 電流 - 連続ドレイン (Id) @ 25°C | 9.2A (Ta), 53A (Tc) | |
| 駆動電圧 (最大 Rds オン、最小 Rds オン) | 4.5V, 10V | |
| Rds オン (最大) @ Id、Vgs | 19.5mOhm @ 30A, 10V | |
| Vgs(th) (最大) @ ID | 3V @ 250µA | |
| ゲート電荷 (Qg) (最大) @ Vgs | 115 nC @ 10 V | |
| FETの特徴 | - | |
| パッケージ・ケース | TO-220-3 | |
| Vgs (最大) | ±20V | |
| FETタイプ | P-Channel | |
| ドレイン・ソース間電圧 (Vdss) | 60 V | |
| 入力容量 (Ciss) (最大) @ Vds | 3500 pF @ 25 V | |
| 消費電力(最大) | 3.1W (Ta), 104.2W (Tc) | |
| その他の名前 | SUP53P0620E3 |
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