IPN95R2K0P7ATMA1

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カテゴリ	トランジスタ - FET、MOSFET - 単体
製造元	Infineon Technologies
RoHS	1
パッケージング	Tape & Reel (TR)
動作温度	-55°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ	Surface Mount
サプライヤーデバイスパッケージ	PG-SOT223
基本製品番号	IPN95R2
テクノロジー	MOSFET (Metal Oxide)
シリーズ	CoolMOS™ P7
電流 - 連続ドレイン (Id) @ 25°C	4A (Tc)
駆動電圧 (最大 Rds オン、最小 Rds オン)	10V
Rds オン (最大) @ Id、Vgs	2Ohm @ 1.7A, 10V
Vgs(th) (最大) @ ID	3.5V @ 80µA
ゲート電荷 (Qg) (最大) @ Vgs	10 nC @ 10 V
FETの特徴	-
パッケージ・ケース	TO-261-4, TO-261AA
Vgs (最大)	±20V
FETタイプ	N-Channel
ドレイン・ソース間電圧 (Vdss)	950 V
入力容量 (Ciss) (最大) @ Vds	330 pF @ 400 V
消費電力(最大)	7W (Tc)
その他の名前	IPN95R2K0P7ATMA1DKR SP001821834 IPN95R2K0P7ATMA1TR IPN95R2K0P7ATMA1CT

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