IPW65R041CFDFKSA1
MOSFET N-CH 650V 68.5A TO247-3
NOVA部品番号:
312-2283663-IPW65R041CFDFKSA1
製造メーカー部品番号:
IPW65R041CFDFKSA1
ひょうじゅんほうそう:
30
技術データシート:
N-Channel 650 V 68.5A (Tc) 500W (Tc) Through Hole PG-TO247-3-1
| カテゴリ | トランジスタ - FET、MOSFET - 単体 | |
| 製造元 | Infineon Technologies | |
| RoHS | 1 | |
| 動作温度 | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
| 取付タイプ | Through Hole | |
| サプライヤーデバイスパッケージ | PG-TO247-3-1 | |
| 基本製品番号 | IPW65R041 | |
| テクノロジー | MOSFET (Metal Oxide) | |
| シリーズ | CoolMOS™ | |
| 電流 - 連続ドレイン (Id) @ 25°C | 68.5A (Tc) | |
| 駆動電圧 (最大 Rds オン、最小 Rds オン) | 10V | |
| Rds オン (最大) @ Id、Vgs | 41mOhm @ 33.1A, 10V | |
| Vgs(th) (最大) @ ID | 4.5V @ 3.3mA | |
| ゲート電荷 (Qg) (最大) @ Vgs | 300 nC @ 10 V | |
| FETの特徴 | - | |
| パッケージ・ケース | TO-247-3 | |
| Vgs (最大) | ±20V | |
| FETタイプ | N-Channel | |
| ドレイン・ソース間電圧 (Vdss) | 650 V | |
| 入力容量 (Ciss) (最大) @ Vds | 8400 pF @ 100 V | |
| 消費電力(最大) | 500W (Tc) | |
| その他の名前 | IPW65R041CFD IPW65R041CFD-ND SP000756288 |
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