PSMN1R8-30MLHX

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カテゴリ	トランジスタ - FET、MOSFET - 単体
製造元	Nexperia USA Inc.
RoHS	1
パッケージング	Tape & Reel (TR)
動作温度	-55°C ~ 175°C (TJ)
取付タイプ	Surface Mount
サプライヤーデバイスパッケージ	LFPAK33
基本製品番号	PSMN1R8
テクノロジー	MOSFET (Metal Oxide)
シリーズ	-
電流 - 連続ドレイン (Id) @ 25°C	150A (Ta)
駆動電圧 (最大 Rds オン、最小 Rds オン)	4.5V, 10V
Rds オン (最大) @ Id、Vgs	2.1mOhm @ 25A, 10V
Vgs(th) (最大) @ ID	2.2V @ 1mA
ゲート電荷 (Qg) (最大) @ Vgs	58 nC @ 10 V
FETの特徴	-
パッケージ・ケース	SOT-1210, 8-LFPAK33 (5-Lead)
Vgs (最大)	±20V
FETタイプ	N-Channel
ドレイン・ソース間電圧 (Vdss)	30 V
入力容量 (Ciss) (最大) @ Vds	3125 pF @ 15 V
消費電力(最大)	106W (Ta)
その他の名前	934660529115 1727-PSMN1R8-30MLHXCT 1727-PSMN1R8-30MLHXDKR 1727-PSMN1R8-30MLHXTR

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