R6011KNX

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カテゴリ	トランジスタ - FET、MOSFET - 単体
製造元	Rohm Semiconductor
RoHS	1
動作温度	-55°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ	Through Hole
サプライヤーデバイスパッケージ	TO-220FM
基本製品番号	R6011
テクノロジー	MOSFET (Metal Oxide)
シリーズ	-
電流 - 連続ドレイン (Id) @ 25°C	11A (Tc)
駆動電圧 (最大 Rds オン、最小 Rds オン)	10V
Rds オン (最大) @ Id、Vgs	390mOhm @ 3.8A, 10V
Vgs(th) (最大) @ ID	5V @ 1mA
ゲート電荷 (Qg) (最大) @ Vgs	22 nC @ 10 V
FETの特徴	-
パッケージ・ケース	TO-220-3 Full Pack
Vgs (最大)	±20V
FETタイプ	N-Channel
ドレイン・ソース間電圧 (Vdss)	600 V
入力容量 (Ciss) (最大) @ Vds	740 pF @ 25 V
消費電力(最大)	53W (Tc)
その他の名前	R6011KNXCTINACTIVE R6011KNXDKRINACTIVE

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