SUD09P10-195-BE3
MOSFET P-CH 100V 8.8A DPAK
NOVA部品番号:
312-2285188-SUD09P10-195-BE3
製造元:
製造メーカー部品番号:
SUD09P10-195-BE3
ひょうじゅんほうそう:
2,000
P-Channel 100 V 8.8A (Tc) 2.5W (Ta), 32.1W (Tc) Surface Mount TO-252AA
| カテゴリ | トランジスタ - FET、MOSFET - 単体 | |
| 製造元 | Vishay Siliconix | |
| RoHS | 1 | |
| パッケージング | Tape & Reel (TR) | |
| 動作温度 | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
| 取付タイプ | Surface Mount | |
| サプライヤーデバイスパッケージ | TO-252AA | |
| 基本製品番号 | SUD09 | |
| テクノロジー | MOSFET (Metal Oxide) | |
| シリーズ | TrenchFET® | |
| 電流 - 連続ドレイン (Id) @ 25°C | 8.8A (Tc) | |
| 駆動電圧 (最大 Rds オン、最小 Rds オン) | 4.5V, 10V | |
| Rds オン (最大) @ Id、Vgs | 195mOhm @ 3.6A, 10V | |
| Vgs(th) (最大) @ ID | 2.5V @ 250µA | |
| ゲート電荷 (Qg) (最大) @ Vgs | 34.8 nC @ 10 V | |
| FETの特徴 | - | |
| パッケージ・ケース | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 | |
| Vgs (最大) | ±20V | |
| FETタイプ | P-Channel | |
| ドレイン・ソース間電圧 (Vdss) | 100 V | |
| 入力容量 (Ciss) (最大) @ Vds | 1055 pF @ 50 V | |
| 消費電力(最大) | 2.5W (Ta), 32.1W (Tc) | |
| その他の名前 | 742-SUD09P10-195-BE3CT 742-SUD09P10-195-BE3DKR 742-SUD09P10-195-BE3TR |
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