PSMN4R3-40MSHX

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カテゴリ	トランジスタ - FET、MOSFET - 単体
製造元	Nexperia USA Inc.
RoHS	1
パッケージング	Tape & Reel (TR)
動作温度	-55°C ~ 175°C (TJ)
取付タイプ	Surface Mount
サプライヤーデバイスパッケージ	LFPAK33
基本製品番号	PSMN4R3
テクノロジー	MOSFET (Metal Oxide)
シリーズ	Automotive, AEC-Q101, TrenchMOS™
電流 - 連続ドレイン (Id) @ 25°C	95A (Ta)
駆動電圧 (最大 Rds オン、最小 Rds オン)	10V
Rds オン (最大) @ Id、Vgs	4.3mOhm @ 25A, 10V
Vgs(th) (最大) @ ID	3.6V @ 1mA
ゲート電荷 (Qg) (最大) @ Vgs	32 nC @ 10 V
FETの特徴	-
パッケージ・ケース	SOT-1210, 8-LFPAK33 (5-Lead)
Vgs (最大)	±20V
FETタイプ	N-Channel
ドレイン・ソース間電圧 (Vdss)	40 V
入力容量 (Ciss) (最大) @ Vds	2338 pF @ 25 V
消費電力(最大)	90W (Ta)
その他の名前	1727-PSMN4R3-40MSHXCT 1727-PSMN4R3-40MSHXDKR 1727-PSMN4R3-40MSHXTR 934661613115

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