TPN22006NH,LQ

More Information
カテゴリ	トランジスタ - FET、MOSFET - 単体
製造元	Toshiba Semiconductor and Storage
RoHS	1
パッケージング	Tape & Reel (TR)
動作温度	150°C (TJ)
取付タイプ	Surface Mount
サプライヤーデバイスパッケージ	8-TSON Advance (3.3x3.3)
基本製品番号	TPN22006
テクノロジー	MOSFET (Metal Oxide)
シリーズ	U-MOSVIII-H
電流 - 連続ドレイン (Id) @ 25°C	9A (Ta)
駆動電圧 (最大 Rds オン、最小 Rds オン)	6.5V, 10V
Rds オン (最大) @ Id、Vgs	22mOhm @ 4.5A, 10V
Vgs(th) (最大) @ ID	4V @ 100µA
ゲート電荷 (Qg) (最大) @ Vgs	12 nC @ 10 V
FETの特徴	-
パッケージ・ケース	8-PowerVDFN
Vgs (最大)	±20V
FETタイプ	N-Channel
ドレイン・ソース間電圧 (Vdss)	60 V
入力容量 (Ciss) (最大) @ Vds	710 pF @ 30 V
消費電力(最大)	700mW (Ta), 18W (Tc)
その他の名前	TPN22006NHLQDKR TPN22006NHLQCT TPN22006NHLQTR TPN22006NH,LQ(S TPN22006NHLQ

In stock お問い合わせください

あなたが望む価格ではありませんか？フォームにご記入ください。至急ご連絡いたします。

他にもお気に入りの製品が見つかりました！