FQT1N80TF-WS
MOSFET N-CH 800V 200MA SOT223-3
NOVA部品番号:
312-2285244-FQT1N80TF-WS
製造元:
製造メーカー部品番号:
FQT1N80TF-WS
ひょうじゅんほうそう:
4,000
技術データシート:
N-Channel 800 V 200mA (Tc) 2.1W (Tc) Surface Mount SOT-223-3
| カテゴリ | トランジスタ - FET、MOSFET - 単体 | |
| 製造元 | onsemi | |
| RoHS | 1 | |
| パッケージング | Tape & Reel (TR) | |
| 動作温度 | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
| 取付タイプ | Surface Mount | |
| サプライヤーデバイスパッケージ | SOT-223-3 | |
| 基本製品番号 | FQT1N80 | |
| テクノロジー | MOSFET (Metal Oxide) | |
| シリーズ | QFET® | |
| 電流 - 連続ドレイン (Id) @ 25°C | 200mA (Tc) | |
| 駆動電圧 (最大 Rds オン、最小 Rds オン) | 10V | |
| Rds オン (最大) @ Id、Vgs | 20Ohm @ 100mA, 10V | |
| Vgs(th) (最大) @ ID | 5V @ 250µA | |
| ゲート電荷 (Qg) (最大) @ Vgs | 7.2 nC @ 10 V | |
| FETの特徴 | - | |
| パッケージ・ケース | TO-261-3 | |
| Vgs (最大) | ±30V | |
| FETタイプ | N-Channel | |
| ドレイン・ソース間電圧 (Vdss) | 800 V | |
| 入力容量 (Ciss) (最大) @ Vds | 195 pF @ 25 V | |
| 消費電力(最大) | 2.1W (Tc) | |
| その他の名前 | FQT1N80TF_WSTR-ND FQT1N80TF_WSCT FQT1N80TF-WSDKR FQT1N80TF_WSDKR FQT1N80TF_WSTR FQT1N80TF-WSCT FQT1N80TFWS FQT1N80TF_WSDKR-ND FQT1N80TF-WSTR FQT1N80TF_WSCT-ND |
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