IRF5802TRPBF
MOSFET N-CH 150V 900MA MICRO6
NOVA部品番号:
312-2274934-IRF5802TRPBF
製造メーカー部品番号:
IRF5802TRPBF
ひょうじゅんほうそう:
3,000
技術データシート:
N-Channel 150 V 900mA (Ta) 2W (Ta) Surface Mount Micro6™(TSOP-6)
| カテゴリ | トランジスタ - FET、MOSFET - 単体 | |
| 製造元 | Infineon Technologies | |
| RoHS | 1 | |
| パッケージング | Tape & Reel (TR) | |
| 動作温度 | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
| 取付タイプ | Surface Mount | |
| サプライヤーデバイスパッケージ | Micro6™(TSOP-6) | |
| 基本製品番号 | IRF5802 | |
| テクノロジー | MOSFET (Metal Oxide) | |
| シリーズ | HEXFET® | |
| 電流 - 連続ドレイン (Id) @ 25°C | 900mA (Ta) | |
| 駆動電圧 (最大 Rds オン、最小 Rds オン) | 10V | |
| Rds オン (最大) @ Id、Vgs | 1.2Ohm @ 540mA, 10V | |
| Vgs(th) (最大) @ ID | 5.5V @ 250µA | |
| ゲート電荷 (Qg) (最大) @ Vgs | 6.8 nC @ 10 V | |
| FETの特徴 | - | |
| パッケージ・ケース | SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 | |
| Vgs (最大) | ±30V | |
| FETタイプ | N-Channel | |
| ドレイン・ソース間電圧 (Vdss) | 150 V | |
| 入力容量 (Ciss) (最大) @ Vds | 88 pF @ 25 V | |
| 消費電力(最大) | 2W (Ta) | |
| その他の名前 | IRF5802TRPBFTR IRF5802TRPBF-ND IRF5802TRPBFCT SP001561828 IRF5802TRPBFDKR |
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