CSD17302Q5A

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カテゴリ	トランジスタ - FET、MOSFET - 単体
製造元	Texas Instruments
RoHS	1
パッケージング	Tape & Reel (TR)
動作温度	-55°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ	Surface Mount
サプライヤーデバイスパッケージ	8-VSONP (5x6)
基本製品番号	CSD17302
テクノロジー	MOSFET (Metal Oxide)
シリーズ	NexFET™
電流 - 連続ドレイン (Id) @ 25°C	16A (Ta), 87A (Tc)
駆動電圧 (最大 Rds オン、最小 Rds オン)	3V, 8V
Rds オン (最大) @ Id、Vgs	7.9mOhm @ 14A, 8V
Vgs(th) (最大) @ ID	1.7V @ 250µA
ゲート電荷 (Qg) (最大) @ Vgs	7 nC @ 4.5 V
FETの特徴	-
パッケージ・ケース	8-PowerTDFN
Vgs (最大)	+10V, -8V
FETタイプ	N-Channel
ドレイン・ソース間電圧 (Vdss)	30 V
入力容量 (Ciss) (最大) @ Vds	950 pF @ 15 V
消費電力(最大)	3W (Ta)
その他の名前	296-25854-6 296-25854-2 296-25854-1 2156-CSD17302Q5A -CSD17302Q5A-NDR TEXTISCSD17302Q5A -296-25854-1-ND

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