IRF8010STRLPBF
MOSFET N-CH 100V 80A D2PAK
NOVA部品番号:
312-2263586-IRF8010STRLPBF
製造メーカー部品番号:
IRF8010STRLPBF
ひょうじゅんほうそう:
800
技術データシート:
N-Channel 100 V 80A (Tc) 260W (Tc) Surface Mount D2PAK
| カテゴリ | トランジスタ - FET、MOSFET - 単体 | |
| 製造元 | Infineon Technologies | |
| RoHS | 1 | |
| パッケージング | Tape & Reel (TR) | |
| 動作温度 | -55°C ~ 175°C (TJ) | |
| 取付タイプ | Surface Mount | |
| サプライヤーデバイスパッケージ | D2PAK | |
| 基本製品番号 | IRF8010 | |
| テクノロジー | MOSFET (Metal Oxide) | |
| シリーズ | HEXFET® | |
| 電流 - 連続ドレイン (Id) @ 25°C | 80A (Tc) | |
| 駆動電圧 (最大 Rds オン、最小 Rds オン) | 10V | |
| Rds オン (最大) @ Id、Vgs | 15mOhm @ 45A, 10V | |
| Vgs(th) (最大) @ ID | 4V @ 250µA | |
| ゲート電荷 (Qg) (最大) @ Vgs | 120 nC @ 10 V | |
| FETの特徴 | - | |
| パッケージ・ケース | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | |
| Vgs (最大) | ±20V | |
| FETタイプ | N-Channel | |
| ドレイン・ソース間電圧 (Vdss) | 100 V | |
| 入力容量 (Ciss) (最大) @ Vds | 3830 pF @ 25 V | |
| 消費電力(最大) | 260W (Tc) | |
| その他の名前 | IRF8010STRLPBFTR IRF8010STRLPBFDKR IRF8010STRLPBFCT IRF8010STRLPBF-ND SP001565774 |
In stock お問い合わせください
あなたが望む価格ではありませんか？フォームにご記入ください。至急ご連絡いたします。
他にもお気に入りの製品が見つかりました！
PSMN015-100B,118Nexperia USA Inc.
IRF8010PBFInfineon Technologies
IPB083N10N3GATMA1Infineon Technologies
SK810L-TPMicro Commercial Co
IPB032N10N5ATMA1Infineon Technologies
