SUD50P04-08-GE3
MOSFET P-CH 40V 50A TO252
NOVA部品番号:
312-2361595-SUD50P04-08-GE3
製造元:
製造メーカー部品番号:
SUD50P04-08-GE3
ひょうじゅんほうそう:
2,000
技術データシート:
P-Channel 40 V 50A (Tc) 2.5W (Ta), 73.5W (Tc) Surface Mount TO-252AA
| カテゴリ | トランジスタ - FET、MOSFET - 単体 | |
| 製造元 | Vishay Siliconix | |
| RoHS | 1 | |
| パッケージング | Tape & Reel (TR) | |
| 動作温度 | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
| 取付タイプ | Surface Mount | |
| サプライヤーデバイスパッケージ | TO-252AA | |
| 基本製品番号 | SUD50 | |
| テクノロジー | MOSFET (Metal Oxide) | |
| シリーズ | TrenchFET® | |
| 電流 - 連続ドレイン (Id) @ 25°C | 50A (Tc) | |
| 駆動電圧 (最大 Rds オン、最小 Rds オン) | 4.5V, 10V | |
| Rds オン (最大) @ Id、Vgs | 8.1mOhm @ 22A, 10V | |
| Vgs(th) (最大) @ ID | 2.5V @ 250µA | |
| ゲート電荷 (Qg) (最大) @ Vgs | 159 nC @ 10 V | |
| FETの特徴 | - | |
| パッケージ・ケース | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 | |
| Vgs (最大) | ±20V | |
| FETタイプ | P-Channel | |
| ドレイン・ソース間電圧 (Vdss) | 40 V | |
| 入力容量 (Ciss) (最大) @ Vds | 5380 pF @ 20 V | |
| 消費電力(最大) | 2.5W (Ta), 73.5W (Tc) | |
| その他の名前 | SUD50P04-08-GE3TR SUD50P04-08-GE3CT SUD50P0408GE3 SUD50P04-08-GE3DKR |
In stock お問い合わせください
あなたが望む価格ではありませんか？フォームにご記入ください。至急ご連絡いたします。
他にもお気に入りの製品が見つかりました！
S6025NRPLittelfuse Inc.
SN74LVC1G08MDCKREPTexas Instruments
TL1015AF160QGE-Switch
AD8676ARMZ-REELAnalog Devices Inc.
SUD50N04-8M8P-4GE3Vishay Siliconix
NP50P04SDG-E1-AYRenesas Electronics America Inc
150141RV73100Würth Elektronik- SUD50P04-08-BE3Vishay Siliconix
RD3G07BATTL1Rohm Semiconductor
ADR03AKSZ-REEL7Analog Devices Inc.
