SCT3080AW7TL

More Information
カテゴリ	トランジスタ - FET、MOSFET - 単体
製造元	Rohm Semiconductor
RoHS	1
パッケージング	Tape & Reel (TR)
動作温度	175°C (TJ)
取付タイプ	Surface Mount
サプライヤーデバイスパッケージ	TO-263-7
基本製品番号	SCT3080
テクノロジー	SiCFET (Silicon Carbide)
シリーズ	-
電流 - 連続ドレイン (Id) @ 25°C	29A (Tc)
Rds オン (最大) @ Id、Vgs	104mOhm @ 10A, 18V
Vgs(th) (最大) @ ID	5.6V @ 5mA
ゲート電荷 (Qg) (最大) @ Vgs	48 nC @ 18 V
FETの特徴	-
パッケージ・ケース	TO-263-8, D²Pak (7 Leads + Tab), TO-263CA
Vgs (最大)	+22V, -4V
FETタイプ	N-Channel
ドレイン・ソース間電圧 (Vdss)	650 V
入力容量 (Ciss) (最大) @ Vds	571 pF @ 500 V
消費電力(最大)	125W
その他の名前	846-SCT3080AW7TLDKR 846-SCT3080AW7TLCT 846-SCT3080AW7TLTR

In stock お問い合わせください

あなたが望む価格ではありませんか？フォームにご記入ください。至急ご連絡いたします。

他にもお気に入りの製品が見つかりました！